假设一个1g的优盘质量是A,向里面拷贝500M的数据,它的质量会增加嘛?

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2个答案
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xingpaul电子工程硕士

2013-10-04 15:10
支持者: 缘分落地

其实变化非常微小, 你用的是固态硬盘

就是Flash Memory

快閃記憶體的每個儲存單元類似一個標準MOSFET, 除了電晶體有兩個而非一個閘極。在頂部的是控制閘(Control Gate, CG),如同其他MOS電晶體。但是它下方則是一個以氧化物層與週遭絕緣的浮閘(Floating Gate, FG)。這個FG放在CG與MOSFET通道之間。由於這個FG在電氣上是受絕緣層獨立的, 所以進入的電子會被困在裡面。在一般的條件下電荷經過多年都不會逸散。當FG抓到電荷時,它部分屏蔽掉來自CG的電場,並改變這個單元的閥電壓(VT)。在讀出期間。利用向CG的電壓,MOSFET通道會變的導電或保持絕緣。這視乎該單元的VT而定(而該單元的VT受到FG上的電荷控制)。這股電流流過MOSFET通道,並以二進位碼的方式讀出、再現儲存的資料。在每單元儲存1位元以上的資料的MLC裝置中,為了能夠更精確的測定FG中的電荷位準,則是以感應電流的量(而非單純的有或無)達成的。

就是多了个电子 500M的电子都没你一毫米的头发丝 重

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支持者: 缘分落地

会的,但是异常的小

优盘由一个晶体管由栅极、漏极和源极组成。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。NAND型闪存的擦和写均是基于隧道效应,电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层,对浮置栅极进行充电或放电。充电之后,系统就标记为“0”,放电之后就标记为“1”。
通俗地说,充电的过程,实际上就是将一堆电子团固定在栅极中,而放电就是释放掉这些固定住的电子。

然而,将这些电子保持固定在栅极中是需要消耗一定的能源,根据E=mc2,也就是有一些质量被维持在栅极中,尽管这些质量微乎其微。这里引用下加州大学伯克利分校的计算机科学教授约翰·库比亚特维兹(John D. Kubiatowicz)的数据:一个4GB的闪存(他没有做500M数据的实验),在两种不同的状态之间大约有1.7乘以10的负5次方焦耳的能量差,换算成质量大约是10的负18次方克这个级别。没错,向里面拷贝500M的数据后确实这变重了!但变化之微小,已经是人类的秤所无法称出的水平了。

http://www.guokr.com/article/71954/

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